A.晶片直徑大
B.頻率低
C.指向性好
D.晶片直徑小
E.頻率高
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A.濃度
B.價(jià)格
C.形狀
D.聲阻抗
E.耦合層厚度
A.垂直線(xiàn)性
B.水平線(xiàn)性
C.晶片尺寸
D.頻率與K值
E.探頭形式
A.始波寬度
B.入射點(diǎn)
C.聲束寬度
D.回波頻率
E.K值
A.聲速
B.聲壓
C.聲強(qiáng)
D.內(nèi)應(yīng)力
E.外應(yīng)力
A.工件表面粗糙度
B.工件材質(zhì)
C.工件表面形狀
D.工件邊界
E.工件溫度
最新試題
為了減少側(cè)壁的影響,必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量,以便提高定量精度。
發(fā)射電壓幅度也就是發(fā)射脈沖幅度,它的高低主要影響發(fā)射的超聲波能量。
當(dāng)工件內(nèi)應(yīng)力與波的傳播方向一致時(shí),若應(yīng)力為壓縮應(yīng)力,則應(yīng)力作用會(huì)使工件彈性增加,導(dǎo)致聲速減慢。
液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過(guò)一段液體后再進(jìn)入試件的檢測(cè)的方法。
由于超聲波對(duì)進(jìn)入面的表面粗糙度、入射超聲束的方向等有一定的要求,必要時(shí)應(yīng)通過(guò)增添專(zhuān)門(mén)的工序,采用經(jīng)批準(zhǔn)的加工方法準(zhǔn)備超聲波進(jìn)入面。
當(dāng)探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時(shí),而又沒(méi)有進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償,會(huì)使定量誤差增加,精度下降。
當(dāng)探頭的性能不佳時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)主聲束,發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)很難判斷是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的,因此也就難以確定缺陷的實(shí)際位置。
對(duì)于橫波斜探頭而言,不同K值的探頭的靈敏度不同,因此探頭K值偏差也會(huì)影響缺陷的定量。
分辯率可使用通用探傷儀進(jìn)行測(cè)量,測(cè)試時(shí)儀器抑制置“零”或“開(kāi)”位,必要時(shí)可加匹配線(xiàn)圈。
水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸,且探頭部分或全部門(mén)浸入耦合液中。