例舉雙大馬士革金屬化過程的10個(gè)步驟。

在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？

例舉出兩種光刻膠顯影方法。例舉出7種光刻膠顯影參數(shù)。

定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？

哪種化學(xué)氣體經(jīng)常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個(gè)步驟。

什么是結(jié)深？

描述電子回旋共振（ECR）。

光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個(gè)重要參數(shù)是什么？

描述RF濺射系統(tǒng)。

解釋離子束擴(kuò)展和空間電荷中和。