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A.大小
B.相位
C.阻抗
D.電抗
A.磁場(chǎng)范圍擴(kuò)大但渦流透入減小
B.磁場(chǎng)范圍渦流透入增大
C.磁場(chǎng)范圍減小但渦流透入增大
D.磁場(chǎng)范圍渦流透入減小
A.符號(hào)μ
B.符號(hào)σ
C.字母B
D.字母H
最新試題
對(duì)于圓柱導(dǎo)體的外通過式線圈,其阻抗變大的情況有()
下面列出的確定透照布置應(yīng)考慮的基本內(nèi)容中,錯(cuò)誤的是()。
X光檢驗(yàn)組按復(fù)查清單組織復(fù)查,并出具X光底片復(fù)查報(bào)告,復(fù)查無遺留問題方可進(jìn)行試壓。
缺陷分類應(yīng)符合驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)的要求,標(biāo)準(zhǔn)未作規(guī)定的缺陷或不屬于X射線照相檢驗(yàn)范疇的缺陷,必要時(shí)可予以注明供有關(guān)人員參考,但不作為合格與否判定的依據(jù)。
按輻射安全管理規(guī)定,輻射作業(yè)場(chǎng)所每周應(yīng)進(jìn)行一次輻射劑量檢測(cè)。
二次打底焊接或重熔排除,無需辦理相關(guān)手續(xù),直接使用前次的申請(qǐng)手續(xù)。
底片或電子圖片、X射線照相檢驗(yàn)記錄、射線檢測(cè)報(bào)告副本、檢測(cè)報(bào)告等及臺(tái)帳由X光透視人員負(fù)責(zé)管理。
射線檢測(cè)最有害的危險(xiǎn)源是(),必須嚴(yán)加控制。
像質(zhì)計(jì)放置次數(shù)一般應(yīng)與透照次數(shù)相同,相同部位、相同的透照條件連續(xù)透照時(shí)可適當(dāng)減少放置次數(shù).但不少于透照次數(shù)的三分之一。
產(chǎn)品焊接接頭最終質(zhì)量經(jīng)X射線檢驗(yàn)合格后不得再實(shí)施影響接頭性能的加工(如校形、修刮、重熔等),否則應(yīng)重新申請(qǐng)進(jìn)行X射線檢測(cè)。