下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

下列是晶體的是（）。 

可用作硅片的研磨材料是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）