填空題制抗壓試件法量測(cè)試件長(zhǎng)邊尺寸時(shí)，應(yīng)除去兩端殘留的（）。
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懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
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用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
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下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
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那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
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下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
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鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
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硅片拋光在原理上不可分為（）
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在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
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載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題