填空題切制抗墳試件法測試設(shè)備應(yīng)選擇適宜噸位的長柱壓力試驗機,預(yù)估抗壓試件的破壞荷載值應(yīng)為壓力試驗機額定壓力的()。
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下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型:單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項選擇題