單項選擇題扁頂法正式測試時，應分級加荷，每級荷載應為預估破壞荷載的（）。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題扁頂法正式測試前，應取預估破壞荷載的（）進行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
2.單項選擇題扁頂法使用手持應變儀測量砌體變形讀數時，應測量（），并應取其平均值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.6次
3.單項選擇題扁頂的主要技術指標中極限壓力應為（）。
A.380kN
B.400kN
C.450kN
D.480kN
4.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時，多孔磚砌體腳標之間的距離應相隔（）水平灰縫，宜取270-300mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
5.單項選擇題扁頂法在選定墻體上開槽時，普通磚砌體腳標之間的距離應相隔（）水平灰縫，宜取250mm。
A.3
B.4
C.5
D.6
最新試題
在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
PN結的基本特性是（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型：單項選擇題