單項(xiàng)選擇題原位軸壓法正式測試前，應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的（）進(jìn)行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
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1.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法在槽內(nèi)應(yīng)均勻鋪設(shè)濕細(xì)砂作為墊層，墊層厚度可取（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
2.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法開鑿水平槽孔時(shí)普通磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為（）皮磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
3.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法所用的600型原位壓力機(jī)額定行程是（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
4.單項(xiàng)選擇題原位壓力機(jī)的力值應(yīng)每（）校驗(yàn)一次。
A.3個(gè)月
B.5個(gè)月
C.6個(gè)月
D.1年
5.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法測試部位在同一墻體上，測點(diǎn)多于一個(gè)時(shí)，其水平凈距不得少于（）。
A.1.0m
B.1.2
C.1.5m
D.2.0m
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題