單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法砂漿為（）個測點(diǎn)，每個測點(diǎn)連續(xù)彈擊三次，讀取最后一次的回彈值作為該點(diǎn)的回彈值。
A.12
B.10
C.8
D.16
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1.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈儀的鋼砧率定值為（）。
A.74±2
B.72±2
C.78±2
D.80±2
2.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法不適用于以下磚砌體（）。
A.燒結(jié)普通磚
B.砌體多孔磚砌體
C.遭受火災(zāi)后的砌體
3.單項(xiàng)選擇題目前，在現(xiàn)場對砌體強(qiáng)度進(jìn)行檢測時，以下哪種方法不適合（）。
A.回彈法
B.扁式法
C.鉆芯法
D.原位軸壓法
4.單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)是指將由塊體和砂漿砌筑而成的（）作為建筑物主要受力構(gòu)件的結(jié)構(gòu)體系。
A.樁基
B.墻、柱
C.梁、板
D.墊層
5.單項(xiàng)選擇題砌體是把塊體（包括粘土磚、空心磚、砌塊、石材等）和（）通過砌筑而成的結(jié)構(gòu)材料。
A.砂漿
B.混凝土
C.泥漿
D.水泥
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項(xiàng)選擇題