下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

可用作硅片的研磨材料是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）