填空題鈦的熔點(diǎn)為1680℃則其再結(jié)晶溫度為(),其再結(jié)晶退火溫度為().
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
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可用作硅片的研磨材料是()
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下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
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在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
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那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
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影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
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與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
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在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
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下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
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懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
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