把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。