在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產生的（）材料等。

版圖設計的基本前提是什么？

MOS器件存在哪些二階效應？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

什么是MOS器件的體效應？

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。