把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？