為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。