為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。