多項選擇題預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮的主要原因是()
A、溫度
B、拉力
C、錨具構(gòu)造
D、張拉錨固工藝
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1.多項選擇題用于表示錨具、夾具和連接器的代號有()
A、L
B、S
C、J
D、M
2.多項選擇題錨具的硬度包括哪些部位()
A、錨板
B、夾片
C、連接器
D、墊板
3.多項選擇題高強(qiáng)鋼絲束可以采用的錨具有()
A、夾片錨具
B、鐓頭錨具
C、擠壓錨具
D、錐塞錨具
4.多項選擇題對靜載錨固實(shí)驗(yàn),下列說法正確的是()
A、應(yīng)先進(jìn)行錨具的硬度試驗(yàn)
B、應(yīng)在錨板和夾片之間加入潤滑劑
C、預(yù)應(yīng)力筋應(yīng)等長平行,不少于2米
D、正式加載前需要進(jìn)行應(yīng)力調(diào)勻
5.多項選擇題實(shí)驗(yàn)中不允許斷裂的有()
A、夾片
B、鐓頭
C、錨板
D、鋼絞線
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
題型:單項選擇題