多項選擇題屬于支承式錨具的有（）
A、多孔夾片錨具
B、墩頭錨具
C、螺母錨具
D、擠壓錨具
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1.多項選擇題屬于握裹式錨具的有（）
A、錐形錨具
B、墩頭錨具
C、壓花錨具
D、擠壓錨具
2.多項選擇題關于錨外控制力和錨下控制力的說法，正確的有（）
A、施工時使用錨下控制力
B、錨下控制力比錨外控制力小
C、兩者的差是錨頭損失
D、錨外控制力等于油壓值除預應力筋的面積
3.多項選擇題導致預應力損失變大的情況有（）
A、錨具夾持部分鋼筋孔不直
B、構件較短
C、預應力筋的護套破損
D、錨環(huán)和夾頭硬度不夠
4.多項選擇題可以提高內部固定端預應力筋張力的方法有（）
A、使用位移控制方式
B、雙向張拉
C、超張拉回松技術
D、內固定端使用回縮量小的錨具
5.多項選擇題孔道灌漿的作用有（）
A、使預應力筋與結構混凝土結為一體
B、提高構件的剛度
C、限定預應力筋的位置
D、防止預應力筋的腐蝕
最新試題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題