A、錨具夾持部分鋼筋孔不直
B、構(gòu)件較短
C、預(yù)應(yīng)力筋的護套破損
D、錨環(huán)和夾頭硬度不夠
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A、使用位移控制方式
B、雙向張拉
C、超張拉回松技術(shù)
D、內(nèi)固定端使用回縮量小的錨具
A、使預(yù)應(yīng)力筋與結(jié)構(gòu)混凝土結(jié)為一體
B、提高構(gòu)件的剛度
C、限定預(yù)應(yīng)力筋的位置
D、防止預(yù)應(yīng)力筋的腐蝕
A、錨具變形
B、夾片位移
C、混凝土收縮
D、預(yù)應(yīng)力筋回縮
A、達到95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后，中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/600
B、達到90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后，中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/500
C、達到120%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后，不得出現(xiàn)裂紋或破壞
D、達到110%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后，不得出現(xiàn)裂紋或破壞
A、鐓頭式
B、夾片式
C、壓花式
D、螺母式
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
可用作硅片的研磨材料是（）
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。