A、總應變測量若采用量具標距的方式,標距長度不應小于1m
B、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應該考慮實驗儀器的彈性應變
C、若采用測量加荷端油缸的位移方式,總長度應為兩個夾片起夾點之間的距離
D、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應該考慮固定端的內縮值
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A.高分子防水卷材
B.無膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
A.上表面五個試件均無裂縫,下表面試件五個均無裂縫
B.上表面五個試件有兩個有裂縫,下表面五個試件均無裂縫
C.上表面五個試件有一個有裂縫,下表面五個試件有一個試件有裂縫
D.上表面五個試件有一個試件有裂縫,下表面五個試件有兩個試件有裂縫
A.聚酯氈
B.無膜雙面自粘
C.玻纖氈
D.玻纖增強聚酯氈
A.實驗的矩形試件尺寸為(150±1)mm×(25±1mm)
B.試件裁取時應距卷材邊緣不少于100mm
C.應同時標記卷材的上表面和下表面
D.試件從試樣寬度方向向上均勻的裁取,長邊在卷材的縱向
最新試題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
改良西門子法的顯著特點不包括()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。