A、(100±1)mm×(100±1)mm
B、(100±2)mm×(100±2)mm
C、(50±2)mm×(50±2)mm
D、(50±1)mm×(50±1)mm
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A、距邊緣100mm以上
B、距邊緣20mm以上
C、距邊緣50mm以上
D、距邊緣80mm以上
A、取中值作為結(jié)果
B、取最小值作為結(jié)果
C、取最大值作為結(jié)果
D、取平均值作為結(jié)果
A、在(23±2)℃下放置不少于24h
B、拉伸速度50mm/min
C、夾具夾持寬度不小于75mm
D、上下夾具間距離為130mm。
A、試件任一端涂蓋層不應(yīng)與胎基發(fā)生位移
B、試件下端的涂蓋層不應(yīng)超過胎基
C、試件無流淌、滴落、集中性氣泡
D、至少兩個試件符合要求可判定為合格
A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P類卷材
C、18242-2008中G類卷材
D、高分子卷材中FS2類片材
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
硅片拋光在原理上不可分為()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列是晶體的是()。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()