下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

可用作硅片的研磨材料是（）

下列是晶體的是（）。 

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）