多項選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊按砌塊密度分為700、800、900、1000、1200、（）等幾個等級。
A、500
B、600
C、1100
D、1400
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1.多項選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊按砌塊抗壓強度分為MU5、MU7.5、MU10、MU15、（）等幾個等級。
A、MU2.5
B、MU3.5
C、MU20
D、MU25
2.多項選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊的外觀質(zhì)量包括（）項目。
A、最小外壁厚和肋厚
B、缺棱掉角
C、彎曲
D、裂縫延伸投影的累計尺寸
3.多項選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊的檢驗分（）。
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
4.多項選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊的出廠檢驗項目為（）。
A、尺寸偏差和外觀質(zhì)量
B、密度等級
C、強度等級
D、相對含水率
5.多項選擇題蒸壓粉煤灰多孔磚（GB26541-2011）標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了蒸壓粉煤灰多孔磚的術(shù)語和定義，規(guī)格、等級和標(biāo)記，（），產(chǎn)品合格證、堆放和運輸。
A、一般規(guī)定
B、技術(shù)要求
C、試驗方法
D、檢驗規(guī)則
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題