A、一般規(guī)定
B、技術要求
C、試驗方法
D、檢驗規(guī)則
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你可能感興趣的試題
A、粉煤灰
B、生石灰(或電石渣)
C、水泥
D、硅灰
A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25
A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得少于冷凍時間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得大于冷凍時間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得少于融化時間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得大于融化時間的1/4
A、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-18±2)℃和(18±2)℃
B、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-18±2)℃和(5±2)℃
C、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-5±2)℃和(18±2)℃
D、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-20±2)℃和(20±2)℃
A、每次凍融循環(huán)應在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時間為8h內(nèi),且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時間為8h內(nèi),且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
下列是晶體的是()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。