A、冷凍結(jié)束后，應(yīng)即加入溫度為（18～20）℃的水，加水時間不應(yīng)超過10min
B、冷凍結(jié)束后，應(yīng)即加入溫度為100℃的熱水，加水時間不應(yīng)超過10min
C、溫控系統(tǒng)應(yīng)確保在30min內(nèi)，水溫不低于10℃，且在30min后水溫能保持在（18～20）℃
D、箱內(nèi)水面應(yīng)至少高出試件表面20mm
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A、試件架與試件的接觸面積不宜超過試件底面的1/5
B、試件與箱體內(nèi)壁之間應(yīng)至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應(yīng)緊密擺放
D、試件架中各試件之間應(yīng)至少保持30mm空隙
A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應(yīng)能保證在（-20～-18）℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應(yīng)能保證在（18～20）℃范圍
C、滿載時箱內(nèi)各點(diǎn)溫度極差不應(yīng)超過2℃
D、滿載時箱內(nèi)各點(diǎn)溫度極差不應(yīng)超過5℃
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
最新試題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
可用作硅片的研磨材料是（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）