A、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
B、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的20%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的劈裂抗拉強(qiáng)度值。
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A、邊長(zhǎng)100mm的C20級(jí)砼加荷速度取每秒0.2～0.5kN
B、邊長(zhǎng)100mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒0.5～0.8kN
C、邊長(zhǎng)100mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒0.8～1.0kN
D、邊長(zhǎng)150mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒1.8～2.25kN
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02～0.05MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08～0.10MPa
A、試件承壓面
B、試驗(yàn)機(jī)壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
A、棱柱體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
B、立方體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
C、圓柱體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
D、圓球體劈裂抗拉強(qiáng)度試驗(yàn)方法
A、棱柱體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
B、立方體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
C、圓柱體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
D、圓球體靜力受壓彈性模量試驗(yàn)方法
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）