A、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時,該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
B、不總是能把同組3個試件測值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個試件測值中,若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%,則該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
D、同組3個試件測值中,最大值或最小值只要有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%,就要把最大值和最小值一并舍除。
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A、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒5.0~8.0kN
B、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒18.0~22.5kN
C、邊長200mm的C20級砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
D、邊長200mm的C40級砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒6.75~11.25kN
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒11.25~18.00kN
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒18.00~22.50kN
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、強(qiáng)度等級越高,加荷速度應(yīng)越小
A、試件拆模時間
B、試件移入標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)室時間
C、拌合物攪拌加水時間
D、拌合物拌制完成時間
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內(nèi)陰涼場所
C、結(jié)構(gòu)或構(gòu)件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽的屋檐下
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
可用作硅片的研磨材料是()