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最新試題
下列是晶體的是()。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
PN結(jié)的基本特性是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()