A、同一盤(pán)
B、連續(xù)三盤(pán)
C、同一車(chē)
D、連續(xù)三車(chē)
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A、抗壓強(qiáng)度
B、抗折強(qiáng)度
C、抗?jié)B等級(jí)
D、靜力受壓彈性模量
A、規(guī)范砼試驗(yàn)方法
B、統(tǒng)一砼拌合物性能試驗(yàn)方法
C、統(tǒng)一砼力學(xué)性能試驗(yàn)方法
D、提高砼試驗(yàn)精度和試驗(yàn)水平
A、拌合物維勃稠度測(cè)定
B、水泥表觀(guān)密度測(cè)定
C、拌合物含氣量測(cè)定
D、細(xì)骨料修正系數(shù)（0.16mm以下粉料修正）測(cè)定
A、孔徑為5mm和0.16mm的標(biāo)準(zhǔn)篩
B、振動(dòng)臺(tái)
C、臺(tái)秤
D、分光光度計(jì)
A、山砂配制的
B、骨料含泥量波動(dòng)大的
C、強(qiáng)度等級(jí)高的
D、特細(xì)砂配制的
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；