A、線性回歸方法
B、繪圖擬合方法
C、A、B兩種方法均可
D、A、B兩種方法均不可
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A、砂漿一次分別裝入三個(gè)試驗(yàn)筒中,做三個(gè)試驗(yàn)
B、采用振動(dòng)臺(tái)振實(shí)時(shí),振動(dòng)應(yīng)持續(xù)到表面出漿為止,不得過振
C、同一試驗(yàn),整個(gè)貫入過程應(yīng)保持用同一貫入面積的測(cè)針
D、以貫入阻力28MPa時(shí)不能在試樣表面壓下痕印作為達(dá)到砼終凝狀態(tài)
A、砼初凝時(shí)間以貫入阻力為3.5MPa時(shí)的時(shí)間
B、砼初凝時(shí)間以貫入阻力為0時(shí)的時(shí)間
C、砼終凝時(shí)間以貫入儀全量程壓力不能貫入到規(guī)定深度的時(shí)間
D、砼終凝時(shí)間以貫入阻力為28MPa時(shí)的時(shí)間
A、水泥性能
B、外加劑性能
C、粗骨料最大粒徑
D、環(huán)境溫度
A、從水泥與水拌合接觸的瞬間開始計(jì)時(shí)
B、從砂漿試驗(yàn)筒裝料搗實(shí)的瞬間開始計(jì)時(shí)
C、從拌合物攪拌完成的瞬間開始計(jì)時(shí)
D、從首次貫入施加阻力的同時(shí)開始計(jì)時(shí)
A、可以是手動(dòng)的,也可以是自動(dòng)的
B、砂漿試樣筒是一個(gè)桶高150mm的木制圓筒
C、主要由加荷裝置、測(cè)針、砂漿試樣筒和標(biāo)準(zhǔn)篩組成
D、加荷裝置最大可以施加2000kN的試驗(yàn)壓力
最新試題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()