A、拌合物應(yīng)分三層均勻地裝入筒內(nèi)
B、每層用搗棒插搗12次
C、插搗應(yīng)沿螺旋方向由中心向外進(jìn)行
D、當(dāng)振動(dòng)到透明圓盤的底面被水泥漿布滿的瞬間停止計(jì)時(shí)
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A、適用于骨料粒徑不大于40mm的砼拌合物稠度測定
B、適用于骨料粒徑大于40mm的砼拌合物稠度測定
C、適用于坍落度不小于220mm的砼拌合物稠度測定
D、適用于維勃稠度在5~30s之間的砼拌合物稠度測定
A、坍落度測量精確至1mm,坍落擴(kuò)展度測量精確至5mm
B、坍落度測量與坍落擴(kuò)展度測量均精確至1mm
C、坍落度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)修約至1mm,坍落擴(kuò)展度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)修約至5mm
D、坍落度與坍落擴(kuò)展度試驗(yàn)結(jié)果表達(dá)均修約至5mm
A、坍落度大于220mm的砼拌合物,宜用坍落擴(kuò)展度法測定其稠度
B、用鋼尺測量砼擴(kuò)展后最終的最大直徑,作為坍落擴(kuò)展度值
C、用鋼尺測量砼擴(kuò)展后最終的最小直徑,作為坍落擴(kuò)展度值
D、擴(kuò)展后的最大直徑與最小直徑之差超過50mm時(shí),試驗(yàn)無效
A、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點(diǎn)之間的高度差,作為坍落度值
B、提筒后,測量筒高與坍落后試體最低點(diǎn)之間的高度差,作為坍落度值
C、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點(diǎn)和最低點(diǎn)之間的高度差,取其平均值作為坍落度值
D、提筒后,應(yīng)在150s后測量坍落度值
A.試驗(yàn)前應(yīng)潤濕坍落度筒及底板
B、拌合物應(yīng)分二層均勻地裝入坍落度筒內(nèi)
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動(dòng)棒振搗密實(shí)
D、頂層插搗完后,刮去多余的砼,并用抹刀抹平
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
PN結(jié)的基本特性是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。