A、外加劑應(yīng)與水泥具有良好的適應(yīng)性，其種類和摻量應(yīng)經(jīng)試驗(yàn)確定
B、外加劑中的氯離子和堿含量應(yīng)滿足砼設(shè)計(jì)要求
C、大體積砼宜采用緩凝劑或緩凝減水劑
D、宜采用液態(tài)外加劑
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A、砼宜采用硅酸鹽和普通硅酸鹽水泥
B、礦物摻合料的種類和摻量應(yīng)經(jīng)試驗(yàn)確定
C、不得同時(shí)摻用兩種或兩種以上的礦物摻合料
D、宜與高效減水劑同時(shí)使用
A、二氧化硅含量
B、比表面積
C、游離氧化鈣含量
D、三氧化硫含量
A、爐渣
B、硅灰
C、磨細(xì)石灰石粉
D、?；郀t礦渣粉
A、石粉含量
B、氯離子含量
C、有害物質(zhì)含量
D、壓碎指標(biāo)值
A、構(gòu)件截面最小尺寸
B、水泥品種
C、建筑規(guī)模
D、鋼筋最小間距
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
可用作硅片的研磨材料是（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）