單項(xiàng)選擇題限位板主要限制的是哪個(gè)部件的位移（）
A、千斤頂
B、預(yù)應(yīng)力筋
C、錨板
D、工作夾片
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1.單項(xiàng)選擇題洛氏硬度測量時(shí)取點(diǎn)個(gè)數(shù)為（）
A、2點(diǎn)
B、3點(diǎn)
C、5點(diǎn)
D、6點(diǎn)
2.單項(xiàng)選擇題對壓花錨的檢測數(shù)量要求是（）
A、每批檢查3%，不少于5件
B、每工作班檢查5%，不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
3.單項(xiàng)選擇題錨具規(guī)范中對鋼絲鐓頭的強(qiáng)度檢測數(shù)量要求是（）
A、每批檢查3%，不少于5件
B、每工作班檢查5%，不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
4.單項(xiàng)選擇題擠壓錨的抽檢數(shù)量規(guī)定為（）
A、每批檢查3%，不少于5件
B、每工作班檢查5%，不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
5.單項(xiàng)選擇題凸出式錨固端錨具的保護(hù)層厚度一般要求為（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
題型：單項(xiàng)選擇題