單項(xiàng)選擇題錨具規(guī)范中對鋼絲鐓頭的強(qiáng)度檢測數(shù)量要求是（）
A、每批檢查3%，不少于5件
B、每工作班檢查5%，不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
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1.單項(xiàng)選擇題擠壓錨的抽檢數(shù)量規(guī)定為（）
A、每批檢查3%，不少于5件
B、每工作班檢查5%，不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
2.單項(xiàng)選擇題凸出式錨固端錨具的保護(hù)層厚度一般要求為（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
3.單項(xiàng)選擇題錨固端外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
4.單項(xiàng)選擇題錨固端外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在正常環(huán)境中不小于（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
5.單項(xiàng)選擇題夾片式錨具在張拉達(dá)到預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值的多少之前不得出現(xiàn)裂紋（）
A、80%
B、95%
C、98%
D、100%
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題