A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
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A、JC/T.409
B、JC/T.621
C、GB.175
D、GB.6763
A、100
B、200
C、250
D、300
A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
A、產(chǎn)品名稱、顏色、強(qiáng)度等級、質(zhì)量等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
B、顏色、產(chǎn)品名稱、強(qiáng)度等級、質(zhì)量等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
C、顏色、產(chǎn)品名稱、質(zhì)量等級、強(qiáng)度等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
D、產(chǎn)品名稱、顏色、質(zhì)量等級、強(qiáng)度等級、標(biāo)準(zhǔn)編號
A、240mm×115mm×53mm
B、200mm×115mm×53mm
C、240mm×115mm×90mm
D、200mm×115mm×90mm
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()