單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件制備好后，應在環(huán)境溫度（），相對濕度（）的不通風室內(nèi)靜置7d。
A、（20±3）℃.（60±20）%
B、（20±3）.℃90%以上
C、（20±1）℃.（60±20）%
D、（20±1）℃.90%以上
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1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件厚度為試件的實際使用厚度，試件邊長為其厚度的（）倍。
A、1
B、2
C、3
D、4
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的吸水率試驗飽和系數(shù)試驗稱量沸煮（）的濕質量來進行計算。
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的吸水率試驗中常溫水浸泡24h的常溫是指（）。
A、10℃～20℃
B、10℃～30℃
C、20℃～30℃
D、0℃～30℃
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的泛霜試驗，一般燒結普通磚用（），燒結多孔磚用（），燒結空心磚用（）進行試驗。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的石灰爆裂試驗，一般燒結普通磚用（），燒結多孔磚用（），燒結空心磚用（）進行試驗。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚
D、整磚.整磚.1/4磚
最新試題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質的沾污；⑤加入雜質量；
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題