單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的傳熱系數(shù)測定中，試件厚度為試件的實際使用厚度，試件邊長為其厚度的（）倍。
A、1
B、2
C、3
D、4
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1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的吸水率試驗飽和系數(shù)試驗稱量沸煮（）的濕質量來進行計算。
A、3h
B、5h
C、1h
D、2h
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的吸水率試驗中常溫水浸泡24h的常溫是指（）。
A、10℃～20℃
B、10℃～30℃
C、20℃～30℃
D、0℃～30℃
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的泛霜試驗，一般燒結普通磚用（），燒結多孔磚用（），燒結空心磚用（）進行試驗。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚或1/4
D、整磚.整磚.整磚
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的石灰爆裂試驗，一般燒結普通磚用（），燒結多孔磚用（），燒結空心磚用（）進行試驗。
A、整磚.1/2磚.1/4磚
B、整磚.1/2磚.1/2磚
C、整磚.整磚.1/2磚
D、整磚.整磚.1/4磚
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中磚的凍融試驗，一次凍融循環(huán)是指在（）下冰凍：燒結磚凍3h，非燒結磚凍5h，然后取出放入（）的水中融化：燒結磚不少于2h；非燒結磚不少于3h。
A、-15℃～-20℃10℃～20℃
B、-10℃～-20℃15℃～20℃
C、-15℃～-20℃15℃～20℃
D、-10℃～-20℃10℃～20℃
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題