單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中磚的凍融試驗(yàn)，一次凍融循環(huán)是指在（）下冰凍：燒結(jié)磚凍3h，非燒結(jié)磚凍5h，然后取出放入（）的水中融化：燒結(jié)磚不少于2h；非燒結(jié)磚不少于3h。
A、-15℃～-20℃10℃～20℃
B、-10℃～-20℃15℃～20℃
C、-15℃～-20℃15℃～20℃
D、-10℃～-20℃10℃～20℃
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中燒結(jié)普通磚用模具制樣法制成的試件連同模具在不低于（）的不通風(fēng)室內(nèi)養(yǎng)護(hù)（）后脫模，再在相同條件下養(yǎng)護(hù)（），進(jìn)行試驗(yàn)。
A、20℃.24h.48h
B、10℃.24h.48h
C、20℃.48h.24h
D、10℃.48h.24h
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中燒結(jié)普通磚用普通制樣法制成的抹面試件應(yīng)置于不低于（）的不通風(fēng)室內(nèi)養(yǎng)護(hù)（）。
A、20℃.3d
B、10℃.3d
C、10℃.1d
D、20℃.1d
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時(shí)，兩磚樣中間抹以厚度不超過（）的用強(qiáng)度等級(jí)32.5的普通硅酸鹽水泥調(diào)制成稠度適宜的水泥凈漿粘結(jié)，上下兩面用厚度不超過（）的同種水泥漿抹平。
A、3mm.5mm
B、3mm.3mm
C、5mm.5mm
D、5mm.3mm
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時(shí)，應(yīng)將切斷的磚樣放入室內(nèi)的凈水中浸（）后，以斷口（）方向疊加制備。
A、10min～20min相反
B、10min～20min相同
C、10min相反
D、20min相同
5.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中在燒結(jié)普通磚制樣時(shí)，應(yīng)將磚樣切斷或鋸成兩個(gè)半截磚，每個(gè)半截磚長不得小于（），如果不足，應(yīng)另取備用磚補(bǔ)足。
A、100mm
B、90mm
C、110mm
D、120mm
最新試題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題