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A.在擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)中,只有注入的少子存在很大的濃度梯度,因此擴(kuò)散電流主要是由少子貢獻(xiàn)。
B.非晶硅對(duì)可見光譜的吸收很強(qiáng),是晶硅的500倍,整個(gè)太陽光譜中的吸收系數(shù)也為單晶硅的40倍,因此非晶硅電池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅電池都是由pn結(jié)構(gòu)成的,因此它們的基本結(jié)構(gòu)是相同的。
D.與晶體硅電池相比,非晶硅電池中存在光誘導(dǎo)退化效應(yīng)(S-W效應(yīng)),但其光電轉(zhuǎn)化效率隨溫度升高下降較慢。
A.梳狀電極→減反膜→n型硅→p型硅→反電極
B.梳狀電極→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SS
C.梳狀電極→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→導(dǎo)電玻璃
D.梳狀電極→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS
A.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極→制作減反射膜
B.表面處理→擴(kuò)散制結(jié)→制作絨面→制作減反射膜→制作電極
C.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作減反射膜→制作電極
D.表面處理→制作減反射膜→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極
最新試題
()的導(dǎo)帶和價(jià)帶重疊在一起,不存在禁帶,在一切條件下具有良好的導(dǎo)電性。
正弦脈寬調(diào)制技術(shù)(SPWM)是通過對(duì)半導(dǎo)體開關(guān)器件的導(dǎo)通和關(guān)斷進(jìn)行控制,使輸出端得到一系列幅值相等而寬度不相等的脈沖,用這些脈沖來代替正弦波或其他所需要的波形。
一般來講,方陣朝向()時(shí),太陽能電池發(fā)電量是最大。
太陽能電池方陣的輸出功率與組件的串、并聯(lián)數(shù)量有關(guān),組件的串聯(lián)是為獲得需要的()
太陽內(nèi)部最里層是()。
硅太陽能電池輸出電壓的極性為()
太陽電池組件封裝使用最廣的黏結(jié)劑是()
()是覆蓋在電池正面的上蓋板材料,構(gòu)成太陽能電池組件的最外層。
半導(dǎo)體中的價(jià)電子必須獲得一定的能量被激發(fā)到()才具有導(dǎo)電能力。
以下光伏組件轉(zhuǎn)換效率最低的是()。