A.梳狀電極→減反膜→n型硅→p型硅→反電極
B.梳狀電極→TCO→p型硅→i型硅→n型硅→SS
C.梳狀電極→TCO→n型硅→p型硅→i型硅→導(dǎo)電玻璃
D.梳狀電極→TCO→p型硅→n型硅→i型硅→SS
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A.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極→制作減反射膜
B.表面處理→擴(kuò)散制結(jié)→制作絨面→制作減反射膜→制作電極
C.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作減反射膜→制作電極
D.表面處理→制作減反射膜→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極
A.隨著溫度的升高，短路電流密度升高，開(kāi)路電壓下降，但光電轉(zhuǎn)換效率下降。
B.溫度對(duì)開(kāi)路電壓的影響明顯大于對(duì)短路電流的影響。
C.光照強(qiáng)度對(duì)短路電流的影響明顯大于對(duì)開(kāi)路電壓的影響。
D.與晶硅太陽(yáng)能電池相比，GaAs太陽(yáng)能電池的禁帶寬度較大，所以晶硅太陽(yáng)能電池具有更好的溫度特性。
A.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度相差較大時(shí)，反向飽和電流密度主要由摻雜濃度較低的一側(cè)貢獻(xiàn)。
B.在一定溫度下，與Si材料相比，GaAs具有較小的有效態(tài)密度和較大的禁帶寬度，所以GaAs可獲得更低的反向飽和電流密度。
C.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度越高，越有利于降低反向飽和電流密度。
D.與半導(dǎo)體中的載流子壽命、擴(kuò)散長(zhǎng)度、導(dǎo)帶價(jià)帶的有效態(tài)密度、摻雜濃度以及禁帶寬度有關(guān)。賦予他們恰當(dāng)值可以得到較大的VOC。
A.19.2℅
B.17.6℅
C.15.6℅
D.20.3℅
A.15μs
B.225μs
C.1.5μs
D.20μs
最新試題
用以防止太陽(yáng)能電池方陣在不發(fā)電時(shí)，蓄電池的電流反過(guò)來(lái)向組件或方陣倒送的器件是（）
光伏發(fā)電系統(tǒng)中，蓄電池放電深度一般為（）。
下列對(duì)集中式光伏電站描述不正確的是（）
半導(dǎo)體中的價(jià)電子必須獲得一定的能量被激發(fā)到（）才具有導(dǎo)電能力。
通常在建筑物之上建設(shè)（）
太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)對(duì)儲(chǔ)能部件的基本要求不包括下列的（）
光伏系統(tǒng)在沒(méi)有任何外來(lái)能源的情況下負(fù)載仍能正常工作的天數(shù)稱為（）
在太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，為了延長(zhǎng)蓄電池的壽命，利用（）對(duì)蓄電池過(guò)放電、過(guò)充電、深度充電、負(fù)載過(guò)流和反充電等情況加以限制。
太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，存儲(chǔ)光伏發(fā)電系統(tǒng)的電能，并在日照量不足、夜間以及應(yīng)急狀態(tài)時(shí)給負(fù)載供電的設(shè)備是（）。
地球只能接收到太陽(yáng)總輻射能量的（）分之一。