單項(xiàng)選擇題單晶硅電池的制造工藝主要流程為（）

A.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極→制作減反射膜
B.表面處理→擴(kuò)散制結(jié)→制作絨面→制作減反射膜→制作電極
C.表面處理→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作減反射膜→制作電極
D.表面處理→制作減反射膜→制作絨面→擴(kuò)散制結(jié)→制作電極


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題以下有關(guān)晶硅太陽(yáng)能電池的溫度和光照特性說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）

A.隨著溫度的升高，短路電流密度升高，開(kāi)路電壓下降，但光電轉(zhuǎn)換效率下降。
B.溫度對(duì)開(kāi)路電壓的影響明顯大于對(duì)短路電流的影響。
C.光照強(qiáng)度對(duì)短路電流的影響明顯大于對(duì)開(kāi)路電壓的影響。
D.與晶硅太陽(yáng)能電池相比，GaAs太陽(yáng)能電池的禁帶寬度較大，所以晶硅太陽(yáng)能電池具有更好的溫度特性。

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于反向飽和電流密度，以下說(shuō)法中錯(cuò)誤的是（）

A.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度相差較大時(shí)，反向飽和電流密度主要由摻雜濃度較低的一側(cè)貢獻(xiàn)。
B.在一定溫度下，與Si材料相比，GaAs具有較小的有效態(tài)密度和較大的禁帶寬度，所以GaAs可獲得更低的反向飽和電流密度。
C.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度越高，越有利于降低反向飽和電流密度。
D.與半導(dǎo)體中的載流子壽命、擴(kuò)散長(zhǎng)度、導(dǎo)帶價(jià)帶的有效態(tài)密度、摻雜濃度以及禁帶寬度有關(guān)。賦予他們恰當(dāng)值可以得到較大的VOC。