單項選擇題
A.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度相差較大時，反向飽和電流密度主要由摻雜濃度較低的一側(cè)貢獻。 B.在一定溫度下，與Si材料相比，GaAs具有較小的有效態(tài)密度和較大的禁帶寬度，所以GaAs可獲得更低的反向飽和電流密度。 C.p-n結(jié)兩邊摻雜濃度越高，越有利于降低反向飽和電流密度。 D.與半導(dǎo)體中的載流子壽命、擴散長度、導(dǎo)帶價帶的有效態(tài)密度、摻雜濃度以及禁帶寬度有關(guān)。賦予他們恰當(dāng)值可以得到較大的VOC。
A.19.2℅ B.17.6℅ C.15.6℅ D.20.3℅
A.15μs B.225μs C.1.5μs D.20μs
A.5.673m B.4.259m C.1.414m D.3.011m
A.光源輻照度為1000W/m B.測試溫度為25℃ C.AM1.0地面太陽光譜輻照度分布 D.AM1.5地面太陽光譜輻照度分布
A、11h B、12h C、11.95h D、無法確定
A、0.9226kW/m2 B、0.7726kW/m2 C、1.0938kW/m2 D、0.3863kW/m2
A、-90.11°，90.11° B、-89.89°，89.89° C、-90°，90° D、無法確定，與緯度有關(guān)系
A、78.84° B、81.16° C、31.94° D、101.16°
A.光熱效應(yīng) B.熱電效應(yīng) C.光生伏打效應(yīng) D.熱斑效應(yīng)
問答題
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