共射放大電路如圖（a）所示。
（1）試確定電路的靜態(tài)工作點(diǎn)（寫出I_BQ、I_CQ和V_CEQ的表達(dá)式）；
（2）畫出該放大器的小信號(hào)等效電路；
（3）該放大器的輸入電阻、輸出電阻、電壓增益A_v及源電壓增益A_vs的表達(dá)式（設(shè)電容的容抗可忽略不計(jì)）；
（4）用直流電壓表測(cè)量時(shí)，若出現(xiàn)V_CEQ≈0V或V_CEQ≈24V，說(shuō)明三極管工作在什么狀態(tài)？
（5）用示波器觀察v_O端波形時(shí)，若出現(xiàn)圖（b）所示情況，為何種失真？應(yīng)如何消除？
（6）若想改善放大器的低頻特性，可以采用什么方法？

電路如圖所示，JFET的g_m＝2mS，r_ds＝20kΩ，求：
（1）雙端輸出時(shí)的差模電壓增益A_Vd＝（V_o1－V_o2）／V_id的值；
（2）電路改為單端輸出時(shí)，A_Vd1、A_Vc1和K_CMR的值。

如圖為一帶自舉電路的高輸入阻抗射極跟隨器。試定性說(shuō)明：
（1）電壓增益接近1；
（2）如圖所示，通過(guò)C₃引入自舉可減少漏柵電容對(duì)輸入阻抗的影響；
（3）通過(guò)C₂引入自舉大大提高了放大器的輸入電阻。

電路如圖所示，設(shè)兩個(gè)FET的參數(shù)完全相同。試證明：
（1）電壓增益為（提示：μ＝g_mr_ds）
（2）輸出電導(dǎo)為
（3）如果R₁＝R₂＝R，試求A_v和R_o。

電路參數(shù)如圖所示。設(shè)FET的參數(shù)為g_m＝0.8mS，r_ds＝200kΩ；T₂的β＝40，r_be＝1kΩ。試求放大器的電壓增益A_v和輸入電阻R_i。