電路如圖所示，JFET的g_m＝2mS，r_ds＝20kΩ，求：
（1）雙端輸出時的差模電壓增益A_Vd＝（V_o1－V_o2）／V_id的值；
（2）電路改為單端輸出時，A_Vd1、A_Vc1和K_CMR的值。

如圖為一帶自舉電路的高輸入阻抗射極跟隨器。試定性說明：
（1）電壓增益接近1；
（2）如圖所示，通過C₃引入自舉可減少漏柵電容對輸入阻抗的影響；
（3）通過C₂引入自舉大大提高了放大器的輸入電阻。

電路如圖所示，設兩個FET的參數(shù)完全相同。試證明：
（1）電壓增益為（提示：μ＝g_mr_ds）
（2）輸出電導為
（3）如果R₁＝R₂＝R，試求A_v和R_o。

電路參數(shù)如圖所示。設FET的參數(shù)為g_m＝0.8mS，r_ds＝200kΩ；T₂的β＝40，r_be＝1kΩ。試求放大器的電壓增益A_v和輸入電阻R_i。

FET恒流源電路如圖所示。設已知管子的參數(shù)g_m、r_ds，且μ＝g_mr_ds。試證明AB兩端的小信號電阻r_AB為