如圖為一帶自舉電路的高輸入阻抗射極跟隨器。試定性說明：
（1）電壓增益接近1；
（2）如圖所示，通過C₃引入自舉可減少漏柵電容對輸入阻抗的影響；
（3）通過C₂引入自舉大大提高了放大器的輸入電阻。

電路如圖所示，設(shè)兩個FET的參數(shù)完全相同。試證明：
（1）電壓增益為（提示：μ＝g_mr_ds）
（2）輸出電導(dǎo)為
（3）如果R₁＝R₂＝R，試求A_v和R_o。

電路參數(shù)如圖所示。設(shè)FET的參數(shù)為g_m＝0.8mS，r_ds＝200kΩ；T₂的β＝40，r_be＝1kΩ。試求放大器的電壓增益A_v和輸入電阻R_i。

FET恒流源電路如圖所示。設(shè)已知管子的參數(shù)g_m、r_ds，且μ＝g_mr_ds。試證明AB兩端的小信號電阻r_AB為

在如圖所示FET放大電路中，已知V_DD＝20V，V_GS＝－2V，管子參數(shù)I_DSS＝4mA，V_P＝－4V。設(shè)C₁、C₂在交流通路中可視為短路。
（1）求電阻R₁和靜態(tài)電流I_D；
（2）求正常放大條件下R₂可能的最大值（提示：正常放大時，工作點落在放大區(qū)（即恒流區(qū)））；
（3）設(shè)r_ds可忽略，在上述條件下計算A_v和R₀。