A.近表面缺陷
B.表面和近表面缺陷
C.表面缺陷
D.內(nèi)部缺陷
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A.與被檢表面形成高對(duì)比度
B.與被檢表面形成低對(duì)比度
C.能粘附在被檢工件表面上
D.磁導(dǎo)率越低越好
A.縱向磁場(chǎng)、橫向缺陷
B.周向磁場(chǎng)、縱向缺陷
C.縱向磁場(chǎng)、縱向缺陷
D.周向磁場(chǎng)、橫向缺陷
A.表面裂紋形成的強(qiáng)
B.近表面裂紋形成的強(qiáng)
C.兩者無區(qū)別
D.上述都不對(duì)
A.材料被磁化難易程度
B.材料中磁場(chǎng)的穿透深度
C.工件需要退磁時(shí)間的長(zhǎng)短
D.保留磁場(chǎng)的能力
A.檢測(cè)非鐵磁性材料表面和近表面缺陷
B.檢測(cè)鐵磁性材料表面和近表面缺陷
C.檢測(cè)鐵磁性材料內(nèi)部缺陷
D.各種不同材料的分選
最新試題
最容易發(fā)生康普頓效應(yīng)的射線能量為()
以下耦合劑中,可用于粗糙表面檢測(cè)的是()
若評(píng)片燈亮度增為原來的兩倍,則底片透光度(It/I0)變?yōu)樵瓉淼模ǎ?/p>
一個(gè)均勻的輻射光束強(qiáng)度為I0的射線,穿過一個(gè)厚度為X的物質(zhì),其強(qiáng)度降低量為I,可用I=-μI0X表示,μ為比例常數(shù),此式代表什么現(xiàn)象()
不同材料的相對(duì)吸收系數(shù)()
影響較大的散射線通常來自()
原子是元素的具體存在,是體現(xiàn)元素性質(zhì)的最小微粒。
對(duì)于平行于檢測(cè)面的缺陷,一般采用()檢測(cè)。
超聲波探頭上標(biāo)稱的頻率是()
二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝,以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述,哪一條是錯(cuò)誤的()