多項(xiàng)選擇題電荷積分儀的基本單元包括（）。
A.I-V轉(zhuǎn)換
B.V-f轉(zhuǎn)換
C.十進(jìn)制計(jì)數(shù)電路
D.控制電路
E.紅外探測(cè)器
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1.單項(xiàng)選擇題如果固體中的原子排列情況是紊亂的，就稱之為（）。
A.單晶靶
B.超晶靶
C.多晶靶
D.非晶靶
2.單項(xiàng)選擇題在靶片前方設(shè)一抑制柵，作用是將（）抑制回去，從而保證測(cè)量的準(zhǔn)確性。
A.二次電子
B.二次中子
C.二次質(zhì)子
D.無序離子
3.單項(xiàng)選擇題一般用（）測(cè)量注入的劑量。
A.劑量分布儀
B.劑量統(tǒng)計(jì)儀
C.電荷分析儀
D.電荷積分儀
4.單項(xiàng)選擇題在實(shí)際工作中，常常需要知道離子注入層內(nèi)損傷量按（）的分布情況。
A.長度
B.深度
C.寬度
D.表面平整度
5.單項(xiàng)選擇題降低靶的溫度，有利于非晶層的形成，所以臨界注入量隨之（）。
A.增大
B.減小
C.不變
D.變?yōu)?
最新試題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻膠對(duì)人部分可見光敏感，但對(duì)（）光不敏感。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
說明功能檢測(cè)工裝的制作原理？
題型：問答題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：單項(xiàng)選擇題