多項(xiàng)選擇題干氧氧化法具備以下一系列的優(yōu)點(diǎn)（）。

A.生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜均勻性好
B.生長(zhǎng)的二氧化硅干燥
C.生長(zhǎng)的二氧化硅結(jié)構(gòu)致密
D.生長(zhǎng)的二氧化硅是很理想的鈍化膜
E.生長(zhǎng)的二氧化硅掩蔽能力強(qiáng)


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1.單項(xiàng)選擇題干氧氧化法有一些優(yōu)點(diǎn)，但同時(shí)它的缺點(diǎn)有（）。

A.生長(zhǎng)出的二氧化硅中引入很多可動(dòng)離子
B.氧化的速度慢
C.生長(zhǎng)的二氧化硅缺陷多
D.生長(zhǎng)的二氧化硅薄膜鈍化效果差

2.單項(xiàng)選擇題干氧氧化中，氧化爐內(nèi)的氣體壓力應(yīng)（）一個(gè)大氣壓。

A.稍高于
B.大大于
C.等于
D.沒(méi)有要求

3.單項(xiàng)選擇題下列幾種氧化方法相比，哪種方法制得的二氧化硅薄膜的電阻率會(huì)高些（）。

A.干氧氧化
B.濕氧氧化
C.水汽氧化
D.與氧化方法無(wú)關(guān)

5.單項(xiàng)選擇題采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是（）的。

A.結(jié)晶形態(tài)
B.非結(jié)晶形態(tài)
C.可能是結(jié)晶形態(tài)的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的
D.以上都不對(duì)