封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。