A.環(huán)縫雙壁單影透照，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)；
B.環(huán)縫單壁外透法，搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)；
C.縱縫單壁外透法，搭接標(biāo)記放在射源側(cè)；
D.環(huán)縫中心透照法搭接標(biāo)記放在膠片側(cè)。
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你可能感興趣的試題
A.管電壓、管電流、曝光時(shí)間；
B.管電壓、曝光量、焦距
C.管電流、曝光時(shí)間、焦距；
D.底片黑度、曝光量、焦距。
A.較高電壓、較短時(shí)間；
B.較高電壓、較長(zhǎng)時(shí)間；
C.較低電壓、較短時(shí)間；
D.較低電壓、較長(zhǎng)時(shí)間。
A.提高橫向裂紋檢出率；
B.減小幾何不清晰度；
C.增大厚度寬容度；
D.提高底片對(duì)比度。
A.鉛箔劃傷部位厚度減薄，對(duì)射線吸收減小，從而使該處透射線時(shí)增多；
B.劃傷使鉛箔表面增大，因而發(fā)射電子的面積增大，增感作用加強(qiáng)；
C.深度劃傷與膠片之間的間隙增大，散射線增加；
D.以上都對(duì)。
A.應(yīng)在黑度軸上有些重合；
B.在黑度軸上無需重合；
C.應(yīng)在1gE軸上有些重合；
D.在1gE軸上無需重合。
最新試題
像質(zhì)計(jì)放置次數(shù)一般應(yīng)與透照次數(shù)相同，相同部位、相同的透照條件連續(xù)透照時(shí)可適當(dāng)減少放置次數(shù)．但不少于透照次數(shù)的三分之一。
檢測(cè)申請(qǐng)時(shí)工序狀態(tài)應(yīng)清楚、工序質(zhì)量應(yīng)符合工序質(zhì)量要求，檢驗(yàn)蓋章確認(rèn)，確保焊接、檢驗(yàn)、檢測(cè)等全過程具有可追溯性。
按輻射安全管理規(guī)定，輻射作業(yè)場(chǎng)所每周應(yīng)進(jìn)行一次輻射劑量檢測(cè)。
二次打底焊接或重熔排除，無需辦理相關(guān)手續(xù)，直接使用前次的申請(qǐng)手續(xù)。
底片或電子圖片、X射線照相檢驗(yàn)記錄、射線檢測(cè)報(bào)告副本、檢測(cè)報(bào)告等及臺(tái)帳由X光透視人員負(fù)責(zé)管理。
X射線探傷室應(yīng)建立健全輻射安全管理制度及應(yīng)急預(yù)案。
在射線照相檢驗(yàn)中，隨著射線能量的提高，得到的圖像不清晰度也將增大。
探傷人員在透視間內(nèi)發(fā)現(xiàn)輻射正在進(jìn)行應(yīng)立即（）。
送檢產(chǎn)品工序狀態(tài)及表面質(zhì)量應(yīng)符合工藝規(guī)程或工藝處理意見的要求，經(jīng)表面檢驗(yàn)合格，申請(qǐng)單無需檢驗(yàn)蓋章確認(rèn)。
底片圖像質(zhì)量參數(shù)中的顆粒度與膠片的粒度是同一概念。